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英飞凌将与松下电器联袂双双推出常闭型600VGaN功率器件

英飞凌将与松下电器联袂双双推出常闭型600VGaN功率器件

本文摘要:2015年3月20日,德国慕尼黑和日本大阪讯英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣告,两家公司已达成协议,将联合开发使用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)PCB的GaN器件。在此背景下,松下电器向英飞凌颁发了用于其常紧型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定,两家公司均可生产高性能GaN器件。 由此带给的益处是客户可以从两条渠道取得使用可相容PCB的GaN功率电源。

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2015年3月20日,德国慕尼黑和日本大阪讯英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣告,两家公司已达成协议,将联合开发使用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)PCB的GaN器件。在此背景下,松下电器向英飞凌颁发了用于其常紧型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定,两家公司均可生产高性能GaN器件。

由此带给的益处是客户可以从两条渠道取得使用可相容PCB的GaN功率电源。迄今为止,没任何其他硅基板GaN器件获取了这样的供货人组,双方商定不透露任何其他合约细节。  作为新一代化合物半导体技术,硅基板GaN技术倍受注目。

一方面,它可以构建很高的功率密度,从而增大设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面,它是提升能效的关键。一般而言,基于硅基板GaN技术的功率器件限于于各种领域,从高压工业设备,如服务器电源(这也是600VGaN器件的潜在应用领域之一),到低压设备,如直流-直流转换器(如在高端消费电子产品中)。IHS公布的市场研究报告表明,与硅基板GaN技术涉及的功率半导体市场,将以超过50%以上的填充年增长率(CAGR)快速增长,也就是说,到2023年,其市场容量将从2014年的1500万美元,减至8亿美元。


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