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晶硅太阳能电池的表面腐蚀仍然是设计和优化的重中之重。从早期的仅有腹电场腐蚀，到正面氮化硅腐蚀，再行到背面引进诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的腐蚀局部开孔认识的PERC/PERL设计。虽然这一结构继续减轻了背面腐蚀的问题，但未根治，开孔处的高填充速率仍然不存在，而且使工艺更进一步简单。近几年来，一种既能构建背面整面腐蚀，且需要开孔认识的技术沦为机构研究的热点，这就是腐蚀认识（PassivatedContact）技术。
当电池两面皆使用腐蚀认识时，还有可能构建需要蔓延PN拢的选择性认识（SelectiveContact）电池结构。本文将详尽讲解腐蚀认识技术的背景，特点及研究现状，并辩论如何用于这一技术构建选择性认识电池。 表面腐蚀的演变 腐蚀的史前时代 在90年代之前晶硅电池商业化生产的早期，太阳能电池制造商早已开始使用丝网印刷技术，但与我们如今用于的又有所不同。
主要的区别在于两点：首先当时的正面网印银浆没烧穿（Fire-through）这一功能，因此在当时的生产线上，必须再行展开网印，而后沉积当时的TiO2减半反射层。另一个区别在于当时的银浆与硅构成有效地欧姆认识的能力较好，只有与低掺入的硅才可以认识较好。
由于TiO2没很好的腐蚀功能，人们在当时并没过多的考虑到腐蚀。而且由于减半反射层在金属电极之上，因此沉积的时候必须用模板遮盖主栅，以便先前的串焊。
虽然这世纪末，在实验室中，科研人员早已使用SiO2腐蚀电池表面，并获得不错的开路电压和效率。 SiNx：H第一次演化 90年代，科研机构和制造商开始探寻用于等离子体强化化学气相沉积（PECVD）技术制取含氢的氮化硅（SiNx：H）薄膜用于电池正面的减反射膜。其中原因之一在于比较适合的折射率，但更加最重要的原因则在于氮化硅优良的的腐蚀效果。
氮化硅除了可以饱和状态表面挂键，减少界面态外，还通过自身的正电荷，增加正面n型硅中的少子浓度，从而减少表面填充速率。SiNx中装载的氢可以在工件的过程中蔓延到硅片中，对发射极和硅片的内部晶体缺陷展开腐蚀，这对品质较低的多晶硅片特别是在有效地，大幅提高了当时太阳能电池的效率。 预示着腐蚀材料上的创意，银浆材料与工件工艺上的变革也同时来临，那就是可以烧穿的浆料和共计火烧（Co-firing）工件工艺。
有了烧穿特性后，可以再行展开减反射膜的沉积，后网印浆料，然后工件。由于顺序的反转，不必再行担忧金属栅线上覆盖面积的减半反射层影响焊，也省却了沉积TiO2必须的部分遮盖。
同时人们发明者了将正反面浆料一次工件的共烧工艺，在一次工件中，正面的银浆穿越SiNx与硅构成认识，而背面的铝浆也实时构成背面电极和背电场（backsurfacefield）。这一系列改良大大简化了丝网印刷电池的工艺，并渐渐沦为了晶硅电池生产的主流。 AlOx第二次演化 随着电池正面的腐蚀效果和认识性能由于SiNx的用于和银浆改良在大大提升，更进一步优化正面早已转入瓶颈阶段，人们把视线投向了另一个填充相当严重的区域，那就是电池的背表面。
虽然在传统丝网印刷的晶硅电池中，铝背场可以增加少子浓度，增加填充，但依然无法与用于介质层带给的腐蚀效果相比较。只不过背面的介质层腐蚀也非新鲜话题，UNSW早在90年代就明确提出了发射极和背面腐蚀（PERC）结构以及发射极和背面腐蚀局部蔓延（PERL）结构，在早期设计中，这两种结构都在背面使用氧化硅层腐蚀，局部开孔构建点接触以增加非腐蚀区域的面积。两者的区别在于否在开口区域展开局部掺入蔓延，局部蔓延减少工艺可玩性，但不会构成局部腹电场，增加认识部分的填充速率。但高品质氧化硅的生长必须较高的温度，对于早已经过高温蔓延的硅片来说，为增加对体少子寿命的影响，不应尽量减少长时间的高温工艺，因此对其他材料的搜寻在2000年左右托上议事日程。
既然SiNx早已在电池正面证明有诸多益处，那能否在背面之后用于这一材料呢。答案是驳斥的，上面早已提及，SiNx腐蚀的机制之一在于利用其正电荷增加正面n型区的少子浓度，可是到了p型的背面，其正电荷将有可能在背面诱导构成一层n型翻转层（inversionlayer），这不会导致背面的旁路损失，影响电流，减少电压和填满因子。 那么问题来了，腐蚀背面到底哪家强劲呢？在欧洲几家研究机构的希望下，一种对光伏研究人员并不陌生的材料的又一次回头到台前，那就是氧化铝（AlOx）。其不但像SiNx一样可以腐蚀表面缺失，还享有与SiNx忽略的负电荷，正是因为这一点，在p型硅背面用于AlOx腐蚀层，不但会构成翻转层导致漏电，反而不会减少p型硅中多子浓度，减少少子浓度，从而减少表面填充速率。
不过AlOx的用于也必须预示这工艺的改良和设备的变革，例如解决问题高速沉积AlOx的问题，氧化铝本身的不稳定性以及良品率较低等问题。
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